ASML的EUV光刻机早已又成7nm上述制程的最关键了互联网+海关，三星、台积电、Intel是要直接购买单价高达10亿元的EUV光刻机用于生产。除此以外CPU除此以外，内存工艺就会逐步导入EUV光刻机，三星最后 SK海力士需要如此做。
据韩国媒体最新报道，全球各地第二大DRAM内存供应商SK海力士早已在研发1a nm工艺的内存，内部代号“南极星”，确定节点差不多在15nm，仍将维持会引入EUV光刻机生产。
对内存来讲，它跟CPU逻辑工艺不一样面临着还能微缩的难题，EUV光刻机还能大幅减少多重曝光工艺，需求提供工艺精度，因此还能大幅减少生产时间时、全面提高 成本，并全面提高 性能。
虽然内存用的EUV工艺难题是许多人人，首要难题这是EUV光刻机售价太高，10亿一台，可以权衡到维护费用，这是初期要承担不小的成本多重压力。
目前来看SK海力士最先进的内存工艺互联网+海关主要包括是1y、1z nm，年初年初这两种工艺将占到40%的产能比重。
3月初，三星指出，将从第四代10nm级（D1a）DRAM或高互联网+海关端级14nm级DRAM最后 全面导入EUV，年初基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片，仍将维持会使12英寸晶圆的生产率翻番。
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